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AUIRFZ44VZS

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 92W(Tc) 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥7.60505
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.61
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 供应商设备包装 D2PAK
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 65 nC @ 10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1690 pF@25 V
  • 部件状态 过时的
  • 最大功耗 92W(Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 57A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 12毫欧姆@34A,10V

AUIRFZ44VZS 产品详情

这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计,采用最新的工艺技术,实现每硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点是175°C结工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起,使该设计成为一种非常高效和可靠的设备,可用于汽车应用和各种其他应用。

特色

  • 先进的工艺技术
  • 超低导通电阻
  • 175°C工作温度
  • 快速切换
  • 允许重复雪崩达到Tjmax
  • 无铅,符合RoHS
  • 汽车认证
AUIRFZ44VZS所属分类:分立场效应晶体管 (FET),AUIRFZ44VZS 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AUIRFZ44VZS价格参考¥7.605045,你可以下载 AUIRFZ44VZS中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AUIRFZ44VZS规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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