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IRFR120ZTRPBF是MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供35 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为23 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为8.7 A，并且Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为150m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为27ns，典型接通延迟时间为8.3ns，Qg栅极电荷为6.9nC，正向跨导最小值为16S，沟道模式为增强。
IRFR121带有IR制造的用户指南。IRFR121采用TO-252-2封装，是IC芯片的一部分。
IRFR12N15D，带有由IR制造的电路图。IRFR12N25D采用SOT-252封装，是IC芯片的一部分。
IRFR12N25D是由IR制造的MOSFET N-CH 250V 14A DPAK。IRFR12N2 5D有TO-252-3，DPAK（2引线+接线片），SC-63封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH250V 14A-DPAK，N沟道250V 14V（Tc）144W（Tc）表面安装D-Pak。
