9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFSL4020PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原始工厂和代理商等渠道购买。IRFSL4020PBF参考价格为9.142美元。Infineon Technologies IRFSL4020PBF封装/规格：MOSFET N-CH 200V 18A TO262。您可以下载IRFSL4020PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFSL4010PBF是MOSFET N-CH 100V 180A TO-262，包括管封装，它们的设计工作单位重量为0.084199盎司，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供封装外壳功能，如I2PAK-3，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为375 W，器件提供20 V Vgs栅极-源极电压，器件具有180 a的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为3.9 mΩ，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为143 nC。
IRFSL3607PBF是MOSFET MOSFT 75V 80A 9.0mOhm 56nC，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在75 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件还可以用作7.34毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为56 nC，该器件提供140 W Pd功耗，该器件具有封装管，封装盒为I2PAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，Id连续漏电流为80 a。
IRFSL3806PBF是MOSFET N-CH 60V 43A TO-262，包括43 A Id连续漏极电流，它们设计为以通孔安装方式运行，通道数量如数据表注释所示，用于1通道，提供封装外壳功能，如I2PAK-3，封装设计为在管中工作，以及71 W Pd功耗，该器件也可以用作22nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为12.6 mOhms，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.084199 oz，Vds漏极源极击穿电压为60 V，Vgs栅极-源极电压为20 V。
IRFSL33N15DPBF带有由IR制造的EDA/CAD模型。IRFSL35N15DPBFTO-262封装，是IC芯片的一部分。
