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IPP062NE7N3 G是MOSFET N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3，包括OptiMOS 3系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP062NE 7N3GXK IPP062E 7N3GXKSA1 SP000819768，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为136 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为48 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为80A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Rds漏极源极导通电阻为6.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24nS，Qg栅极电荷为42nC。
IPP062NE7N3是由INF制造的MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3。IPP062NE 7N3采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH75V 80A-TO220-3。
IPP65N03L G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3。IPP65N03L G采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3。
IPP65N03LG是FEELING制造的MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3。IPP65N03LG采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3。
