英飞凌的一系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装的N沟道器件和引线封装以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内，电阻基准降低了传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
特色
- 先进的平面技术
- 动态dV/dT额定值
- 175°C工作温度
- 快速切换
- 完全雪崩等级
- 允许重复雪崩达到Tjmax
- 无铅，符合RoHS
- 汽车认证
AUIRF4905L
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-262 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥96.69272
-
数量:
- +
- 总计: ¥96.69
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电压标 (Vdss) 55 V
- 场效应管类型 P-通道
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 180 nC@10 V
- 最大功耗 200W（Tc）
- 供应商设备包装 TO-262
- 部件状态 过时的
- 漏源电流 (Id) @ 温度 42A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 20毫欧姆@42A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3500 pF @ 25 V
- 包装/外壳 至262
AUIRF4905L 产品详情
N沟道功率MOSFET 55V，英飞凌
AUIRF4905L 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | AUI15-4671 | 联合元件国际公司 (Allied) | UI15 SMD CCFL TRANSFORMER | ¥63.37538 |
 | AUI15-4677 | 联合元件国际公司 (Allied) | 240uH, UI15 Core SMD Transformer | ¥47.07885 |
 | AUIR3242SDEMOBOARDTOBO1 | 英飞凌 (Infineon) | 采用的IC/零件: auir3242 种类: 电源管理 功能: 配电开关（负荷开关） | ¥3,637.60167 |
 | AUIRF4905S | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥42.80554 |
 | AUIRFR024N | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.92517 |
 | AUIRFS4310Z | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 250W（Tc） 供应商设备包装: D2PAK 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥15.13766 |
| AUIRFU8403-701TRL | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 99W（Tc） 供应商设备包装: PG-TO251-3-21 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.26947 |
| AUIRFB8405-071 | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 163W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥4.2878 |
| AUIRG4BC30S-S | AUIRG4B30 - AUTOMOTIVE IGBT DISC | ¥11.0728 | |
 | AUIRGP35B60PD-E | 英飞凌 (Infineon) | 集电极击穿电压: 600 V 最大集电极电流 (Ic): 60 A 最大功率: 308 W 供应商设备包装: TO-247AD 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥35.20049 |
AUIRF4905L所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，AUIRF4905L 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。AUIRF4905L价格参考￥96.692715，你可以下载 AUIRF4905L中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询AUIRF4905L规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
