9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFR13N20DCTRRP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFR13N20DCTRRP参考价格2.016美元。Infineon Technologies IRFR13N20DCTRRP封装/规格：MOSFET N-CH 200V 13A DPAK。您可以下载IRFR13N20DCTRRP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFR13N15DPBF是MOSFET N-CH 150V 14A DPAK，包括管封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供86 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为26 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为14 A，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V至5.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为180mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为19nC，正向跨导最小值为5S，沟道模式为增强。
IRFR13N15DTRPBF是MOSFET N-CH 150V 14A DPAK，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在150 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作180mOhms Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为19 nC，该器件提供86 W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为14 a。
IRFR13N15PBF，带有由IR制造的电路图。IRFR13N1 5PBF采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
IRFR13N20D是由IR制造的Trans-MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin（2+Tab）DPAK T/R。IRFR13N2 0D采用TO-252封装，是FET的一部分-单体，支持Trans-MOSMOSFET N-CH 200 V 13A 3-Pin（2+Tab）DPAK T/R。
