9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STP35N65M5,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。STP35N65M5参考价格为2.21426美元。STMicroelectronics STP35N65M5封装/规格:MOSFET N-CH 650V 27A TO220AB。您可以下载STP35N65M5英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STP34NM60ND是MOSFET N-CH 600V 29A TO-220AB,包括N沟道MDmesh系列,它们设计用于管式封装,单位重量如数据表注释所示,用于0.011640盎司,提供安装类型功能,如通孔,封装盒设计用于TO-220-3,以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 N沟道晶体管型,该器件具有190 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为61.8 ns,上升时间为53.4 ns,Vgs栅极-源极电压为25 V,Id连续漏极电流为29 a,Vds漏极-源极击穿电压为600V,Rds导通漏极-漏极电阻为110mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为111ns,典型接通延迟时间为30ns,Qg栅极电荷为80.4nC,沟道模式为增强。
STP35N60DM2是MOSFET,包括3 V Vgs第栅极-源极阈值电压,它们设计为在+/-25 V Vgs栅极-源电压下工作,Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示,用于600 V,提供0.011640 oz等单位重量特性,典型开启延迟时间设计为21.2 ns,以及68 ns典型关闭延迟时间,该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外,该技术为Si,器件的上升时间为17 ns,器件的漏极-源极电阻为110 mOhms,Qg栅极电荷为54 nC,Pd功耗为210 W,封装外壳为TO-220-3,通道数为1通道,安装方式为通孔,其最低工作温度范围为-55 C,其最大工作温度范围为+150℃,Id连续漏电流为28A,下降时间为10.7ns,配置为1N通道,通道模式为增强型。
STP34NM60N是MOSFET N-CH 600V 29A TO-220,包括单一配置,它们设计为在29 a Id连续漏极电流下工作,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,安装类型设计为在通孔中工作,以及1通道数量的通道,该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外,封装为管,器件提供210 W Pd功耗,器件具有92 mOhms的Rds漏极-源极电阻,串联为N沟道MDmesh,技术为Si,晶体管极性为N沟,晶体管类型为1 N沟道,单位重量为0.011640 oz,Vds漏极源极击穿电压为600 V,Vgs栅极-源极电压为25V。
STP34N65M5是MOSFET N-CH 650V 28A TO-220,包括管封装,它们设计为与TO-220-3封装盒一起工作,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供Si等技术特性,晶体管极性设计为在N沟道中工作,以及MDmesh M5系列,该器件也可以用作650V Vds漏极-源极击穿电压。此外,Pd功耗为190 W,器件提供18.3 A Id连续漏极电流,器件具有110 mOhms的Rds漏极源极电阻,晶体管类型为1 N沟道,沟道数为1沟道,单位重量为0.011640盎司。