9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STW27NM60ND，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STW27NM60ND参考价格为0.704美元。STMicroelectronics STW27NM60ND封装/规格：MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3。您可以下载STW27NM60ND英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如STW27NM60ND价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
STW26NM60N是MOSFET N-CH 600V 20A TO-247，包括MDmesh？II系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于1.340411盎司，具有通孔等安装方式功能，包装箱设计用于to-247-3以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为通孔，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的TO-247-3，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为140W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为600V，输入电容Cis-Vds为1800pF@50V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为20A（Tc），最大Id Vgs的Rds为165 mOhm@10A，10V，Vgs的最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为60nC@10V，Pd功耗为140 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为50 ns，上升时间为25ns，Vgs栅极-源极电压为25V，Id连续漏极电流为20A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为135mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为85ns，典型导通延迟时间为13ns，正向跨导最小值为10S，信道模式是增强。
STW26NM60ND为MOSFET N-CH 600V 0.145欧姆（典型值）。21A FDmesh II，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在25 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如1.340411 oz，典型开启延迟时间设计为22 ns，以及69 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道MDmesh系列，上升时间为14.5 ns，Rds漏极-源极电阻为145 mOhms，Qg栅极电荷为54.6 nC，Pd功耗为190 W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，Id连续漏电流为21A，下降时间为27.5ns，配置为单。
STW27N60M2-EP（带有ST.制造的电路图）是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持TO-247封装中的“MOSFET N沟道600 V、N沟道600V 20A（Tc）170W（Tc。
