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STH110N10F7-2是MOSFET N CH 100V 110A H2PAK，包括N沟道STripFET系列，它们设计用于卷盘封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该器件也可以用作1信道数量的信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有150 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为110 a，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为2V至4V，漏极-源极电阻Rds为6.5mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为60nC。
STH 24D50是固态继电器-工业安装型STH 24D60 50A 3-32Vdc，包括螺纹端接型，设计用于STH系列，产品如数据表说明所示，用于工业安装型，提供面板等安装型功能，最低工作温度范围为-40℃，最高工作温度范围+100℃，该设备也可以用作0 VAC至600 VAC额定负载电压。此外，负载电流额定值为50 A，设备的输入电流为10 mA至13 mA，设备的控制电压范围为3 VDC至32 VDC。
带有电路图的STH108011.1 STH108011.1QFP封装，是IC芯片的一部分。
