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STU10N60M2是MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2，包括MDmesh M2系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于IPAK-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有85 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为13.2 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为7.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为560mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为32.5ns，典型接通延迟时间为8.8ns，Qg栅极电荷为13.5nC。
STU10NM60N是MOSFET N-CH 600V 10A IPAK，包括600 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及N沟道MDmesh系列，该器件也可以用作530毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，包装为管式，装置采用IPAK-3包装盒，装置具有1个通道数，安装方式为通孔，Id连续漏电流为8A。
STU10NB80带有ST制造的电路图。STU10NB 80采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
