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IPS060N03L G是MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3,包括OptiMOS 3系列,它们设计用于管式封装,零件别名如数据表注释所示,用于IPS060N01LGAKMA1 IPS060N02LGXK SP000705724,提供单位重量功能,如0.13932盎司,安装样式设计用于通孔,以及OptiMOS商品名,该装置也可以用作IPAK-3包装箱。此外,该技术为Si,该器件提供1信道信道数,该器件具有单一配置,晶体管类型为1 N信道,Pd功耗为56W,其最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为3 ns,上升时间为3纳秒,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为50A,Vds漏极-源极击穿电压为30V,Rds导通漏极-漏极电阻为6mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为20ns,典型接通延迟时间为5ns,沟道模式为增强。
IPS060N03LAG,带有INFINEON制造的用户指南。IPS060N03LAG采用TO-251封装,是IC芯片的一部分。
IPS060N03LG是INFINEON制造的MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3。IPS060N03LG提供TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA封装,是FET的一部分-单体,支持MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3。