9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRLR024N，该产品在9icnet现场销售，可通过原始工厂和代理商等渠道购买。AUIRLR024N参考价格为5.016美元。Infineon Technologies AUIRLR024N封装/规格：MOSFET N-CH 55V 17A DPAK。您可以下载AUIRLR024N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AUIRLR014NTRL是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms，包括卷筒封装，它们设计为以0.13932盎司单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单频源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供28 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为23 ns，上升时间为47 ns，Vgs栅源电压为+/-16 V，Id连续漏电流为10 A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为140mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为7.9nC，正向跨导Min为3.1S。
AUIRLR014NTRR是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 140mOhms，包括1 V Vgs栅极-源极阈值电压，设计用于+/-16 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于55 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，晶体管类型设计用于1 N通道，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为47 ns，器件提供140 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有7.9 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为28 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏极电流为10A，正向跨导最小值为3.1S，下降时间为23ns，配置为单奎因源。
AUIRLR014N是MOSFET N-CH 55V 10A DPAK，包括单一配置，它们设计为以10 a Id连续漏电流运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供信道数功能，如1信道，封装外壳设计为在to-252-3中工作，以及管封装，该器件也可以用作28W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为5.3 nC，器件提供210 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有Si of Technology，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为4 g，Vds漏极源极击穿电压为55 V，Vgs栅极-源极电压为16 V。
