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IPS105N03L G是MOSFET N-Ch 30V 35A IPAK-3 OptiMOS 3,包括OptiMOS 3系列,它们设计用于管式封装,零件别名如数据表注释所示,用于IPS105N01LGAKMA1 SP000788218,提供单位重量功能,如0.139332盎司,安装样式设计用于通孔,以及OptiMOS商品名,该装置也可以用作IPAK-3包装箱。此外,该技术为Si,该器件提供1信道信道数,该器件具有单一配置,晶体管类型为1 N信道,Pd功耗为38 W,其最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为2.4 ns,上升时间为14 ns,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为35A,Vds漏极-源极击穿电压为30V,Rds导通漏极-漏极电阻为10.5mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为14ns,典型接通延迟时间为3.7ns,沟道模式为增强。
IPS1052GTRPBF是IC IPS SW LOW SIDE 2CH 8-SOIC,包括不需要的电压源Vcc Vdd,它们设计用于28V(最大)电压负载,开关类型如数据表注释所示,用于通用用途,提供供应商设备包功能,如8-SO,Rds on Typ设计用于160 mOhm,以及1899/12/30 1:01:00输入:输出比,该设备也可以用作磁带和卷轴(TR)包装。此外封装外壳为8-SOIC(0.154英寸,3.90mm宽),该器件为N通道输出型,该器件具有低侧输出配置,工作温度范围为-40°C~150°C(TJ),输出数量为2,接口为开/关,输入类型为非反相,故障保护为限流(固定),温度过高,电流输出最大值为500mA。
IPS1051STR,带有IR制造的电路图。IPS1051STRSOT-263封装,是IC芯片的一部分。
IPS1052GTRPBF。IPS1052GTRPBF。SOP8封装中提供,是IC芯片的一部分。