9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRLR2703，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRLR2703价格参考3.078美元。Infineon Technologies AUIRLR2703封装/规格：MOSFET N-CH 30V 20A DPAK。您可以下载AUIRLR2703英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AUIRLR120N是MOSFET N-CH 100V 10A DPAK，包括管封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供48 W Pd功耗，其最小工作温度范围为-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为35 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为10 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为185 mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型接通延迟时间为4ns，Qg栅极电荷为13.3nC，沟道模式为增强。
AUIRLR120NTRL是MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如4 ns，典型的关闭延迟时间设计为23 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为35ns，器件的漏极-源极电阻为185mOhm，Qg栅极电荷为13.3nC，Pd功耗为48W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，并且Id连续漏极电流为10A，并且下降时间为22ns，并且配置为单，并且信道模式为增强。
AUIRLR120NTRR是MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 185mOhms，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于22 ns，提供Id连续漏极电流功能，例如10 a，其最低工作温度范围为-55 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-252-3，器件采用卷筒封装，器件具有48W的Pd功耗，Qg栅极电荷为13.3nC，Rds漏极-源极电阻为185mOhms，上升时间为35ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型的接通延迟时间为4ns，单位重量为0.13932oz，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极电压为16V。
