9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFH7921TR2PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFH7921TR2PBF价格参考2.722美元。Infineon Technologies IRFH7921TR2PBF封装/规格：MOSFET N-CH 30V 15A/34A PQFN。您可以下载IRFH7921TR2PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFH7914TRPBF是MOSFET N-CH 30V 15A PQFN，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于PQFN-8，该PQFN-8提供Si等技术特性，通道数设计用于1通道，以及单四漏三源配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为3.1W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为4.6ns，上升时间为11ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为35A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，第Vgs栅极-源极阈值电压为1.35V至2.35V，Rds漏极-源极电阻为13m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为11ns，Qg栅极电荷为8.3nC，正向跨导最小值为77S，沟道模式为增强。
IRFH7914TR2PBF是MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于11 ns，提供典型的关断延迟时间功能，如12 ns，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为11 ns，器件提供8.7 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有8.3 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为3.1 W，封装为卷轴式，封装盒为PQFN-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为15 A，正向跨导最小值为77 S，下降时间为4.6 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IRFH7914PBF带有由IR制造的电路图。IRFH7914FBF采用QFN封装，是IC芯片的一部分。
IRFH7914T带有由IR制造的EDA/CAD模型。IRFH7914T采用DFN封装，是FET的一部分-单个。
