9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRFP1405，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRFP1405参考价格为0.868美元。Infineon Technologies AUIRFP1405封装/规格：MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC。您可以下载AUIRFP1405英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AUIRFN8459TR带有引脚细节，包括HEXFETR系列，它们设计用于带卷（TR）封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-PowerTDFN，技术设计用于硅，工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备在PQFN（5x6）供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重），最大功率为50W，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为2250pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为50A，最大Id Vgs的Rds为5.9 mOhm@40A，10V，Vgs最大Id为3.9V@50μA，栅极电荷Qg Vgs为60nC@10V，Pd功耗为50W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为42 ns，上升时间为55 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为70A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs第栅极-源阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.9mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型导通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为40nC，并且前向跨导Min为66S，并且信道模式为增强。
带有用户指南的AUIRFN8458TR，包括3.9 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于40 V，提供典型的开启延迟时间功能，如9.7 ns，典型的关闭延迟时间设计为11 ns，以及2 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为71 ns，器件的漏极-源极电阻为10 mOhms，Qg栅极电荷为22 nC，Pd功耗为34 W，封装为卷轴，封装盒为PQFN-8，通道数为2通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为43 A，正向跨导最小值为56 S，下降时间为19 ns，配置为双通道，通道模式为增强型。
AUIRFP064N是MOSFET N-CH 55V 98A TO-247AC，包括单一配置，它们设计为在110 a Id连续漏电流下工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供多个通道功能，如1通道，封装外壳设计为在TO-247-3中工作，该器件也可以用作200W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为113.3 nC，器件的漏极-源极电阻为8 mOhms Rds，器件具有Si of Technology，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为1.340411 oz，Vds漏极-漏极击穿电压为55 V，Vgs栅极-源极电压为20 V。
