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AUIRLR2905

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 42A (Tc) 最大功耗: 110W(Tc) 供应商设备包装: D-Pak 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥15.02178
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥15.02
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 漏源电压标 (Vdss) 55 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±16V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 10V
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 供应商设备包装 D-Pak
  • 最大功耗 110W(Tc)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1700 pF @ 25 V
  • 部件状态 过时的
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 42A (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 48 nC @ 5 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 27毫欧姆@25A,10V

AUIRLR2905 产品详情

Infineon汽车N沟道功率MOSFET

英飞凌的AECQ-101汽车认证单芯片N通道器件的全面组合解决了许多应用中的各种电源需求。这一系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装的N沟道器件和引线封装,以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。

AUIRLR2905所属分类:分立场效应晶体管 (FET),AUIRLR2905 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AUIRLR2905价格参考¥15.021775,你可以下载 AUIRLR2905中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AUIRLR2905规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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