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IPI65R280C6是MOSFET N-Ch 700V 13.8A I2PAK-3 CoolMOS C6，包括CoolMOS C6系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPI65R180C6XK IPI65R2 80C6XKSA1 SP000785056，其提供单位重量功能，如0.084199盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为104 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为13.8A，Vds漏极-源极击穿电压为700V，Rds漏极源极导通电阻为280mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为105nS，Qg栅极电荷为45nC。
IPI65R190CFD是MOSFET N-Ch 650V 17.5A I2PAK-3 CoolMOS CFD2，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供单位重量功能，如0.084199盎司，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作CoolMOS商标。此外，该技术为Si，该器件采用CoolMOS CFD2系列，该器件的上升时间为8.4 ns，漏极-源极电阻Rds为190 mOhms，Qg栅极电荷为68 nC，Pd功耗为151 W，部件别名为IPI65R190CFDXK IPI65R190CFDXKSA1 SP000905386，封装为管，封装外壳为I2PAK-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，Id连续漏电流为17.5A，下降时间为6.4ns，配置为单。
IPI65R310CFD是MOSFET N-Ch 650V 11.4A I2PAK-3 CoolMOS CFD2，包括单一配置，它们设计为在7 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了用于11.4 a的Id连续漏极电流，提供了安装类型特征，如通孔、通道数量设计为在1个通道中工作，该装置也可以用作管包装。此外，部件别名为IPI65R310CFDXK IPI65R410CFDXKSA1 SP000891700，该器件提供104.2 W Pd功耗，该器件具有41 nC的Qg栅极电荷，Rds漏极源极电阻为310 mOhms，上升时间为7.5 ns，系列为CoolMOS CFD2，技术为Si，商品名为CoolOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.084199oz，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅源极电压为30V，Vgsth栅源极阈值电压为4V。
IPI65R280E6XKSA1，带EDA/CAD型号，包括XPI65R280系列，它们设计用于管式封装，数据表说明中显示了用于to-262-3的封装盒，该to-262-3提供了通孔等安装方式功能，配置设计用于单体，以及Si技术，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，部件别名为IPI65R280E6 SP000795270，该器件提供700 V Vds漏极-源极击穿电压，该器件的漏极-漏极电阻为280 mOhms，Id连续漏极电流为13.8 a，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.073511盎司。
