9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRLR2905TRL，该产品在9icnet现场销售，可通过原始工厂和代理商等渠道购买。AUIRLR2905TRL价格参考14.584美元。Infineon Technologies AUIRLR2905TRL封装/规格：MOSFET N-CH 55V 42A DPAK。您可以下载AUIRLR2905TRL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AUIRLR2703TRR是MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 45欧姆，包括卷轴封装，它们设计为以0.13932盎司单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供45 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为140 ns，Vgs栅源电压为16 V，Id连续漏电流为3.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极漏极-漏极电阻为45m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为8.5ns，沟道模式为增强。
AUIRLR2905是MOSFET N-CH 55V 42A DPAK，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于55 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为26 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为84 ns，器件的漏极-源极电阻为27 mOhm，Qg栅极电荷为32 nC，Pd功耗为110 W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，并且Id连续漏极电流是42A，并且下降时间是15ns，并且配置是单一的，并且信道模式是增强的。
AUIRLR2703TRPBF带有IR制造的电路图。AUIRLR27003TRPBF采用D-PAK封装，是IC芯片的一部分。
