9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDS6673BZ-F085，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。FDS6673BZ-F085参考价格为0.48000美元。onsemi FDS6673BZ-F085封装/规格：MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC。您可以下载FDS6673BZ-F085英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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FDS6673BZ是MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有8-SO的供应商器件封装，配置为单四漏极三源极，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为1W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为4700pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为14.5A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为7.8mOhm@14.5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为124nC@10V，Pd功耗为2.5W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为105纳秒，上升时间为16纳秒，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为14.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds导通漏极-漏极电阻为6.5毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为225纳秒，典型接通延迟时间为14ns，正向跨导最小值为60S，信道模式为增强。
FDS6673AZ是由FAIRCHILD制造的MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC。FDS6673AZ采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC、P沟道30V 14.5 A（Ta）2.5W（Ta）表面安装8-SO。
FDS6673AZ-NL，带有FAIRCHILD制造的电路图。FDS6673AZ-NL在SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
