9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRLH7134TR2PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRLH7134TR2PBF价格参考1.16美元。Infineon Technologies IRLH7134TR2PBF封装/规格：MOSFET N-CH 40V 26A 8PFN。您可以下载IRLH7134TR2PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRLH5036TRPBF是MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN，包括卷轴封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于PQFN-8，该PQFN-8提供Si等技术特性，信道数设计用于1信道，以及单配置，该器件也可以用作1 N信道晶体管类型。此外，Pd功耗为3.6W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15ns，上升时间为48ns，Vgs栅极-源极电压为16V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅-源极阈值电压为2.5V，并且Rds导通漏极-源极电阻为5.5mOhm，并且晶体管极性为N沟道，并且典型关断延迟时间为28ns，并且典型接通延迟时间为23ns，并且Qg栅极电荷为90nC，并且正向跨导Min为109S。
IRLH6224TRPBF是MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6，包括20 V Vds漏极-源极击穿电压，其设计工作单位重量为0.000705 oz。数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，该沟道提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及3 mOhms Rds漏极源极电阻，该器件也可以用作3.6W Pd功率耗散。此外，包装为卷轴式，该器件采用TSOP-6封装盒，该器件具有1个通道数，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为28 a。
IRLH5036TR2PBF是由IR制造的MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN。IRLH5036 TR2PBF采用8-PowerVQFN封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH60V 100A5X6 PQFN、N沟道60V 20A（Ta）、100A（Tc）3.6W（Ta），160W（Tc）表面安装PQFN（5X6）、Trans-MOSFET N-CH 60 V 20A 8引脚PQFN EP T/R。
