9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRLR3705Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRLR3705Z参考价格为11.694美元。Infineon Technologies AUIRLR3705Z封装/规格：MOSFET N-CH 55V 42A DPAK。您可以下载AUIRLR3705Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AUIRLR3636是MOSFET N-CH 60V 99A DPAK，包括管封装，它们设计为以0.13932盎司单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供143 W Pd功耗，器件具有16 V Vgs栅极-源极电压，Id连续漏极电流为99 a，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为8.3 mΩ，晶体管极性为N沟道、Qg栅极电荷为33 nC。
AUIRLR3636TRL是MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作8.3毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为33 nC，该器件提供143 W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为99 a，配置为单通道。
AUIRLR3636TRR是MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms，包括单一配置，它们设计为以99 a Id连续漏电流工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供1通道等多个通道功能，封装盒设计为在to-252-3中工作，以及卷筒封装，该器件也可以用作143W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为33 nC，器件提供8.3 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有Si of Technology，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.13932 oz，Vds漏极源极击穿电压为60 V，Vgs栅极-源极电压为16 V。
