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IPI65R380C6是MOSFET N-Ch 700V 10.6A I2PAK-3 CoolMOS C6，包括CoolMOS C6系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPI65R180C6XK IPI65R280C6XKSA1 SP000785080，提供单位重量功能，如0.084199盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为83 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为10.6A，Vds漏极-源极击穿电压为700V，Rds漏极源极导通电阻为380mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为110nS，Qg栅极电荷为39nC。
IPI65R600C6是MOSFET N-Ch 700V 7.3A I2PAK-3 CoolMOS C6，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于700 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.084199盎司，提供典型的关断延迟时间功能，如80 nS，晶体管类型设计用于1 N沟道，该器件还可以用作CoolMOS商标。此外，该技术为Si，该器件采用CoolMOS C6系列，该器件具有9 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为600 mOhms，Qg栅极电荷为23 nC，Pd功耗为63 W，部件别名为IPI65R600C6XK IPI65R700C6XKSA1 SP000850504，封装为管，封装外壳为I2PAK-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为7.3 A，下降时间为13 ns，配置为单一。
IPI65R420CFD是MOSFET N-Ch 650V 8.7A I2PAK-3 CoolMOS CFD2，包括单一配置，它们设计为在8 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了8.7 a中使用的Id连续漏电流，其提供了安装方式特征，如通孔、通道数量设计为在1个通道中工作，该装置也可以用作管包装。此外，部件别名为IPI65R420CFDXK IPI65R520CFDXKSA1 SP000891702，该器件提供83.3 W Pd功耗，该器件具有32 nC的Qg栅极电荷，Rds漏极源极电阻为420 mOhms，上升时间为7 ns，系列为CoolMOS CFD2，技术为Si，商品名为CoolOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.084199oz，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅源极电压为30V，Vgsth栅源极阈值电压为4V。
IPI65R660CFD是MOSFET N-Ch 650V 6A I2PAK-3 CoolMOS CFD2，包括管封装，它们设计为以通孔安装方式运行，配置如数据表注释所示，用于单通道，提供Si等技术特性，晶体管极性设计为在N通道中工作，以及IPI65R760CFDXK IPI65R460CFDXKSA1 SP000861696部件别名，该装置也可以用作I2PAK-3封装盒。此外，该系列为CoolMOS CFD2，该器件以CoolMOS商品名提供，该器件具有8 ns的上升时间，Rds漏极-源极电阻为660 mOhms，Vds漏极源极击穿电压为650 V，Pd功耗为63 W，Id连续漏极电流为6 a，Vgs栅极-源极阈值电压为4 V，Vgs栅源极电压为30 V，Qg栅极电荷为22nC，下降时间为10ns，晶体管类型为1N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.084199盎司。
