Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内，电阻基准降低了传导损耗，使设计人员能够提供最佳的系统效率。
IRFH7107TRPBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、75A（Tc） 最大功耗: 3.6W (Ta), 104W (Tc) 供应商设备包装: 8-PQFN (5x6) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥36.76496
-
数量:
- +
- 总计: ¥36.76
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电压标 (Vdss) 75 V
- 包装/外壳 8-PowerTDFN
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 72 nC @ 10 V
- 供应商设备包装 8-PQFN (5x6)
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 100A
- 部件状态 过时的
- 漏源电流 (Id) @ 温度 14A（Ta）、75A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 8.5毫欧姆 @ 45A, 10V
- 最大功耗 3.6W (Ta), 104W (Tc)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 3110 pF @ 25 V
IRFH7107TRPBF 产品详情
N沟道功率MOSFET 60V至80V，英飞凌
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRFH7107TRPBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFH7107TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFH7107TRPBF价格参考￥36.764960，你可以下载 IRFH7107TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFH7107TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
