9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4038DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4038DY-T1-GE3参考价格为3.152美元。Vishay Siliconix SI4038DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO。您可以下载SI4038DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI3993DV-T1-E3是MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI3993DV-T1中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.000705盎司，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有2个通道数，供应商器件封装为6-TSOP，配置为双通道，FET类型为2个P通道（双通道），最大功率为830mW，晶体管类型为2 P通道，漏极到源极电压Vdss为30V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为1.8A，最大Id Vgs上的Rds为133 mOhm@2.2A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为5nC@4.5V，Pd功耗为830 mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为16纳秒，上升时间为16 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds漏极源极电阻为133毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为17纳秒，典型的开启延迟时间为10ns，信道模式为增强。
SI3993DV-T1-GE3是MOSFET 2P-CH 30V 1.8A 6-TSOP，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-30 V，提供单位重量功能，如0.000705 oz，晶体管类型设计为在2个P沟道中工作，以及P沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为6-TSOP，该设备为TrenchFETR系列，该设备具有133 mOhm@2.2A，10V Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为133 mOhms，功率最大值为830mW，Pd功耗为830 mW，零件别名为SI3993DV-GE3，包装为磁带和卷轴（TR），包装箱为SOT-23-6 Thin，TSOT-23-6，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，Id连续漏极电流为1.8 A，栅极电荷Qg Vgs为5nC@4.5V，FET类型为2 P通道（双通道），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为1.8A，配置为双通道。
SI3993DV，带有VISHAY制造的电路图。SI3993DV在SOT-163封装中提供，是FET阵列的一部分。
Si4004DY-T1-E3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。Si4004DY-T1-E3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
