9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFH7107TR2PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFH7107TR2PBF参考价格为0.836美元。Infineon Technologies IRFH7107TR2PBF封装/规格：MOSFET N-CH 75V 14A 8PQFN。您可以下载IRFH7107TR2PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFH7084TRPBF带有引脚细节，包括卷筒封装，它们设计为与SMD/SMT安装样式一起工作，数据表注释中显示了用于PQFN-8的封装盒，该PQFN-8提供Si等技术特性，通道数设计为在1通道中工作，以及单配置，该器件也可以用作1 N通道晶体管类型，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，器件的下降时间为34 ns，上升时间为31 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为265 a，Vds漏源击穿电压为40 V，Vgs第h栅源阈值电压为3.9 V，Rds导通漏极-源极电阻为950μ欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为64ns，典型接通延迟时间为16ns，Qg栅极电荷为127nC，正向跨导最小值为120S，沟道模式为增强。
带有用户指南的IRFH7085TRPBF，包括3.7V Vgs第二栅极-源极阈值电压，它们设计为在20V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于60V，提供典型的开启延迟时间功能，如13ns，典型的关闭延迟时间设计为63ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为25 ns，器件的漏极-源极电阻为3.6 mOhm，Qg栅极电荷为110 nC，封装为卷轴，封装盒为PQFN-8，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏极电流为147A，正向跨导最小值为140S，下降时间为23ns，配置为单一。
IRFH7004TRPBF是MOSFET N CH 40V 100A PQFN 5X6，包括49 ns的下降时间，它们设计用于117 S正向跨导最小值，Id连续漏极电流，如数据表注释所示，用于259 a，提供SMD/SMT等安装方式功能，通道数设计用于1个通道，以及PQFN-8封装外壳，该装置也可以用作卷筒包装。此外，Pd功耗为156 W，器件提供129 nC Qg栅极电荷，器件具有1.1 mOhms的Rds漏极-源极电阻，上升时间为51 ns，技术为Si，商品名为StrongIRFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道。典型关断延迟时间为73 ns，典型的导通延迟时间为15ns，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V。
