9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF6708S2TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF6708S2TRPBF价格参考1.648美元。Infineon Technologies IRF6708S2TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET S1。您可以下载IRF6708S2TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF6702M2DTR1PBF带有引脚细节，包括HEXFETR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装盒如数据表注释所示，用于DirectFET？Isometric MA，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及DIRECTFET？MA供应商设备包，该设备也可以用作2 N通道（双）FET类型。此外，功率最大值为2.7W，该器件提供30V漏极到源极电压Vdss，该器件具有1380pF@15V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为15A，最大Id Vgs上的Rds为6.6mOhm@15A，10V，Vgs最大Id为2.35V@25μa，栅极电荷Qg-Vgs为14nC@4.5V。
IRF6702M2DTRPBF是MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET，包括2.35V@25μ？MA供应商设备包，系列如数据表注释所示，用于HEXFETR，其提供Rds on Max Id Vgs功能，如6.6 mOhm@15A、10V，功率最大设计为2.7W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该设备也可以用作DirectFET？等轴测MA封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1380pF@15V的输入电容Ciss Vds，栅极电荷Qg Vgs为14nC@4.5V，FET类型为2 N通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏电流Id为15A。
IRF6691TRPBF是MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 1.8mOhms 47nC，包括32 A Id连续漏极电流，它们设计用于SMD/SMT安装方式。数据表中显示了用于1信道的信道数量，该信道提供了DirectFET-3等封装外壳功能，封装设计用于卷筒，以及2 W Pd功耗，该器件也可以用作47nC Qg栅极电荷。此外，Rds漏极-源极电阻为1.8毫欧，该器件采用Si技术，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，Vds漏极源极击穿电压为20 V，Vgs栅极-源极电压为12 V。
IRF6691TR1PRF带有由IR制造的EDA/CAD模型。IRF6691TR1PRF采用DIRECTFET封装，是IC芯片的一部分。
