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IPP100N04S2L-03是MOSFET N-Ch 40V 100A TO220-3 OptiMOS，包括OptiMOS系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP100NO4S2L03AKSA1 IPP100NO 4S2L03AKSA2 SP001063638，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为300 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为27 ns，上升时间为51 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.3mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为77ns，典型接通延迟时间为19ns，沟道模式为增强。
IPP100N04S3-03是MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为46 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为OptiMOS，该器件采用Si技术，该器件具有OptiMOS-T系列，上升时间为16 ns，漏极源极电阻Rds为3.3 mOhms，Pd功耗为214 W，零件别名为IPP100N04S303AKSA1 IPP100NO4S303XK SP000261227，包装为管，包装箱为TO-220-3，通道数为1通道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为100 A，下降时间为17 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPP100N04S4-H2是MOSFET N-Ch 40V 100A TO220-3 OptiMOS-T2，包括100 A Id连续漏极电流，它们设计为以1通道数量的通道运行。数据表注释中显示了用于to-220-3的封装盒，该封装盒提供了管等封装功能，零件别名设计用于IPP100NO4S4H2AKSA1 IPP100NO 4H2XK SP000711278，该器件还可以用作OptiMOS-T2系列。此外，该技术为硅，该器件以OptiMOS商品名提供，该器件具有N沟道晶体管极性，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.211644盎司，Vds漏极-源极击穿电压为40 V。
IPP100N04S3-03（3PN0403），带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。IPP100N04S3-03（3PN0403）采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
