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AUIRFR2405是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 16mOhm，包括管封装，它们设计为以0.13932盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供110 W Pd功耗，其最小工作温度范围为-55 C，下降时间为78 ns，上升时间为130 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为56 A，Vds漏极-源极击穿电压为55 V，Rds漏极源极电阻为16 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为15ns，Qg栅极电荷为70nC，沟道模式为增强。
AUIRFR2405TR是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 16mOhms，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在55 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如15 ns，典型的关闭延迟时间设计为55 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为130 ns，器件的漏极-源极电阻为16 mOhms，Qg栅极电荷为70 nC，Pd功耗为110 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，并且Id连续漏极电流为56A，并且下降时间为78ns，并且配置为单，并且信道模式为增强。
AUIRFR2405TRL是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 16mOhm，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于78 ns，提供Id连续漏电流功能，如56 a，其最低工作温度范围为-55 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-252-3，器件采用卷筒封装，器件具有110W的Pd功耗，Qg栅极电荷为70nC，Rds漏极-源极电阻为16m欧姆，上升时间为130ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型的接通延迟时间为15ns，单位重量为0.13932oz，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极电压为20V。
