9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的2N6660-2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N6660-2参考价格$1.46。Vishay Siliconix 2N6660-2封装/规格：MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD。您可以下载2N6660-2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N6660是MOSFET N-CH 60V 0.41A TO39-3，包括散装封装，它们设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-205AD、to-39-3金属罐，提供Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及通孔安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，供应商设备包为TO-39，该设备为单配置，该设备具有MOSFET N沟道，FET型金属氧化物，最大功率为6.25W，晶体管类型为1 N沟道、漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为50pF@24V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为410mA（Ta），Rds On Max Id Vgs为3 Ohm@1A，10V，Vgs th Max Id为2V@1mA，Pd功耗为6.25 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为410 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，漏极-源极电阻Rds为3欧姆，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强型。
2N6650是达林顿晶体管PNP Pwr Darlington，包括0.225789盎司单位重量，它们设计用于PNP晶体管极性，系列如数据表注释所示，用于2N6650，提供100 W等Pd功耗功能，封装设计用于套筒，以及to-3封装盒，该器件也可以用作通孔安装型，其最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，该器件的最大直流集电极电流为10 a，发射极基极电压VEBO为5 V，直流集电极基极增益hfe最小值为1000，配置为单，集电极-发射极电压VCEO最大值为80 V，集电极基极电压VCBO为80V。
2N6659是MOTOROLA制造的Trans MOSFET N-CH 35V 1.4A 3引脚TO-205AD。2N6659采用TO-39封装，是IC芯片的一部分，支持Trans MOSFET N-CH 35V 1.4A 3引脚TO-205AD。
