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STB120NF10T4是MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK，包括STripFET？II系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件包的D2PAK，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为312W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为5200pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为110A（Tc），最大Id Vgs的Rds为10.5 mOhm@60A，10V，Vgs的最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为233nC@10V，Pd功耗为312 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为68 ns，上升时间为90ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为10.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为132ns，典型导通延迟时间为25ns，正向跨导最小值为90S，信道模式是增强。
STB120N4LF6是MOSFET N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE，包括1 V至2.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于40 V，提供单位重量功能，如0.13932盎司，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，该系列是N沟道STripFET，该器件提供4 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件具有80 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为110 W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为80 A，配置为单一。
STB120N4F6是MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE，包括单一配置，它们设计为在80A Id连续漏电流下工作，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数量的通道，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，封装为Reel，该器件提供110 W Pd功耗，该器件具有65 nC的Qg栅极电荷，Rds漏极-源极电阻为4 mOhms，系列为N沟道STripFET，技术为Si，晶体管极性为N沟，晶体管类型为1 N沟道，单位重量为0.13932 oz，Vds漏极源极击穿电压为40 V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs第二栅极-源极端电压为4V。
STB120NF10，带有STB120制造的EDA/CAD模型。STB120NFC10采用TO-263封装，是FET的一部分-单个。
