9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的2N6660-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N6660-E3参考价格$5.154。Vishay Siliconix 2N6660-E3封装/规格：MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD。您可以下载2N6660-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N6660是MOSFET N-CH 60V 0.41A TO39-3，包括散装封装，它们设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-205AD、to-39-3金属罐，提供Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及通孔安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，供应商设备包为TO-39，该设备为单配置，该设备具有MOSFET N沟道，FET型金属氧化物，最大功率为6.25W，晶体管类型为1 N沟道、漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为50pF@24V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为410mA（Ta），Rds On Max Id Vgs为3 Ohm@1A，10V，Vgs th Max Id为2V@1mA，Pd功耗为6.25 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为410 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，漏极-源极电阻Rds为3欧姆，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强型。
2N6660-2是MOSFET Mospower晶体管，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们被设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件还可以用作6.25W Pd功耗。此外，封装外壳为TO-205AD-3，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有安装型通孔，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为1.1 a，配置为单通道，通道模式为增强型。
2N6659是MOTOROLA制造的Trans MOSFET N-CH 35V 1.4A 3引脚TO-205AD。2N6659采用TO-39封装，是IC芯片的一部分，支持Trans MOSFET N-CH 35V 1.4A 3引脚TO-205AD。
