9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP65R280C6XKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP65R280C6XKSA1参考价格为1.02000美元。Infineon Technologies IPP65R280C6XKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220-3。您可以下载IPP65R280C6XKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IPP65R280C6XKSA1价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IPP65R225C7XKSA1带有引脚细节，包括管封装，它们设计用于IPP65R125C7 SP000929432零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供安装样式功能，如通孔，商品名设计用于CoolMOS，以及to-220-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为63 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为6 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为11A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为199mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为48ns，典型接通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为20nC，沟道模式为增强。
IPP65R225C7带用户指南，包括3 V至4 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于650 V，提供单位重量功能，如0.079014 oz，典型开启延迟时间设计为9 ns，以及48 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以CoolMOS商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为CoolMOS C7，上升时间为6ns，漏极-源极电阻Rds为225mOhm，Qg栅极电荷为20nC，Pd功耗为63W，部件别名为IPP65R225C7XKSA1 SP000929432，封装为Tube，封装外壳为D2PAK-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为11 A，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPP65R280C6是MOSFET N-CH 650V 13.8A TO220，包括单一配置，它们设计为在12 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了用于13.8A的Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，以及通孔安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-220-3，器件采用管封装，器件具有IPP65R280C6XK IPP65R180C6XKSA1 SP000785058部件别名，Pd功耗为104W，Qg栅极电荷为45nC，Rds漏极源极电阻为280mOhms，上升时间为11ns，系列为CoolMOS C6，技术为Si，商品名为CoolOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为105nS，单位重量为0.211644oz，Vds漏极-源极击穿电压为700V，Vgs栅极-源极电压为20V。
