9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRF9392PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF9392PBF参考价格为0.23000美元。Infineon Technologies IRF9392PBF封装/规格：MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO。您可以下载IRF9392PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRF9389TRPBF是MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO，包括HEXFET系列，它们设计用于替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HEXFET，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件有2个通道数，供应商器件封装为8-SO，配置为1个N通道1个P通道，FET类型为N和P通道，最大功率为2W，晶体管类型为1个N-通道1个P-通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为398pF@15V，FET特性为逻辑电平门，25°C时电流连续漏极Id为6.8A、4.6A，最大Id Vgs的Rds为27 mOhm@6.8A、10V，Vgs的最大Id为2.3V@10μA，栅极电荷Qg Vgs为14nC@10V，Pd功耗为2 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.9 ns 15 ns，上升时间为4.8 ns 14 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为6.8 A-4.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，第Vgs栅极源极阈值电压为1.3 V-1.3 V，Rds漏极上源极电阻为22 m欧姆51 m欧姆，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为4.9纳秒17纳秒，典型接通延迟时间为5.1纳秒8纳秒，Qg栅极电荷为6.8 nC 8.1 nC，正向跨导最小值为8.2 S 4.1 S。
IRF9388TRPBF是MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOIC，包括-1.8 V Vgs栅源阈值电压，它们设计用于25 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-30 V，提供单位重量功能，如0.017870 oz，典型开启延迟时间设计为19 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为57 ns，漏极-源极电阻Rds为10 mOhms，Qg栅极电荷为18 nC，Pd功耗为2.5 W，封装为卷轴式，封装盒为SO-8，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为-12A，正向跨导最小值为20S，下降时间为66ns，配置为单一，信道模式为增强。
IRF9389PBF是MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO，包括6.8A、4.6A电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如N和P通道，栅极电荷Qg Vgs设计用于14nC@10V，除了398pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，该器件采用管交替封装，最大功率为2W，最大Id Vgs的Rds为27 mOhm@6.8A，10V，系列为HEXFET，供应商器件封装为8-SO，Vgs最大Id为2.3V@10μa。
