9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的2N6660JTVP02，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N6660JTVP02参考价格为0.654美元。Vishay Siliconix 2N6660JTVP02封装/规格：MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD。您可以下载2N6660JTVP02英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N6660-E3是MOSFET N-CH 60V 990MA TO-205，包括散装封装，它们设计用于通孔安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于TO-205AD-3，提供Si等技术特性，信道数设计用于1信道，以及单配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为6.25 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为3欧姆，晶体管极性为N沟道，并且信道模式是增强。
2N6660-2是MOSFET Mospower晶体管，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们被设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件还可以用作6.25W Pd功耗。此外，封装外壳为TO-205AD-3，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有安装型通孔，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为1.1 a，配置为单通道，通道模式为增强型。
2N6660JTVP02带有电路图，包括1个通道数量的通道，它们设计为使用硅技术操作。晶体管极性显示在数据表注释中，用于N通道，提供晶体管类型功能，如1个N通道。
