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BSC882N03LS G是MOSFET N-Ch 34V 100A SON-8，包括BSC882N03系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于BSC82N03LSGATMA1 BSC882N01LSGXT SP000686916，提供单位重量功能，如0.002677盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SON-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为69 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9.4 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅源电压为2 V，Id连续漏极电流为100A，Vds漏极-源极击穿电压为34V，Rds漏极源极电阻为2.2mOhms，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为27nC，正向跨导Min为100S。
BSC882N03MS，带有INFINEON制造的用户指南。BSC882N03MS采用DFN-85X6封装，是FET的一部分-单个。
BSC882N03MS G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 34V 22A TDSON-8。BSC882N03MS G采用8功率TDFN封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 34V 22A TDSON-8。
