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BSC883N03MS G是MOSFET N-Ch 30V 19A TDSON-8，包括BSC883N03系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于BSC883N03M SGATMA1 SP000507418，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于TDSON-8以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单四漏三源，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有2.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为7.6 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为19A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.8mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为19ns，典型接通延迟时间为15ns，沟道模式为增强。
BSC883N03LSG，带有INFINEON制造的用户指南。BSC883N03LSG采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
BSC883N03MS，电路图由FEELING制造。BSC883N03MS采用DFN-85X6封装，是FET的一部分-单个。
