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AUIRFR9024N

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 11A(Tc) 最大功耗: 38W (Tc) 供应商设备包装: D-PAK (TO-252AA) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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  • 单价: ¥8.18448
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    - +
  • 总计: ¥8.18
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规格参数

  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 最大功耗 38W (Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) 55 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 11A(Tc)
  • 场效应管类型 P-通道
  • 包装/外壳 TO-252-3,DPak(2根引线+接线片),SC-63
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 19 nC@10 V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 350 pF @ 25 V
  • 部件状态 过时的
  • 供应商设备包装 D-PAK (TO-252AA)
  • 导通电阻 Rds(ON) 175毫欧姆@6.6A,10V

AUIRFR9024N 产品详情

HEXFET®功率MOSFET的这种蜂窝式设计专门为汽车应用而设计,利用最新的处理技术实现每个硅区域的低导通电阻。这一优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计相结合,为设计者提供了一种用于汽车和各种其他应用的极其高效和可靠的器件。

特色

  • 先进的平面技术
  • 动态dV/dT额定值
  • 175°C工作温度
  • 快速切换
  • 完全雪崩等级
  • 允许重复雪崩达到Tjmax
  • 无铅,符合RoHS
  • 汽车认证
AUIRFR9024N所属分类:分立场效应晶体管 (FET),AUIRFR9024N 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。AUIRFR9024N价格参考¥8.184477,你可以下载 AUIRFR9024N中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询AUIRFR9024N规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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