9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFH5204TRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFH5204TRPBF价格参考9.576美元。Infineon Technologies IRFH5204TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 40V 22A/100A PQFN。您可以下载IRFH5204TRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFH5110TRPBF是MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN，包括卷轴封装，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，封装盒如数据表注释所示，用于PQFN-8，提供Si等技术特性，通道数设计为在1通道中工作，以及单四漏极三源配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为114 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为6.4 ns，上升时间为9.6 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为63 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds导通漏极-源极电阻为12.4毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22纳秒，典型接通延迟时间为7.8纳秒，Qg栅极电荷为48纳秒，沟道模式为增强型。
IRFH5110PBF带有IR制造的用户指南。IRFH51110PBF采用QFN-8封装，是IC芯片的一部分。
IRFH5110TR2PBF是由IR制造的MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN。IRFH51110TR2PBF采用8-PowerVQFN封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH100V 5X6PQFN、N沟道100V 11A（Ta）、63A（Tc）3.6W（Ta），114W（Tc）表面安装PQFN（5X6）、Trans MOSFET N-CH210V 11A 8引脚PQFN EP T/R。
