9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFH5220TRBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFH5220TRPBF参考价格为0.364美元。Infineon Technologies IRFH5220TRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 200V 3.8A/20A PQFN。您可以下载IRFH5220TRBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFH5207TRPBF是MOSFET N-CH 75V 13A 8-PQFN，包括卷筒封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于PQFN-8，提供Si等技术特性，通道数设计用于1通道，以及单四漏极三源配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为3.6W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7.1ns，上升时间为12ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为71A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅-源极阈值电压为4V，Rds漏极-源极电阻为9.6毫欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为7.2ns，Qg栅极电荷为40nC，正向跨导最小值为51S，沟道模式为增强。
IRFH5210TRPBF是MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN，包括2 V至4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于100 V，提供典型的开启延迟时间功能，如7.2 ns，典型的关闭延迟时间设计为21 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为9.7 ns，器件的漏极-源极电阻为14.9 mOhms，Qg栅极电荷为40 nC，Pd功耗为3.6 W，封装为卷轴式，封装外壳为PQFN-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为10A，正向跨导最小值为66S，下降时间为6.5ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFH5215TRPBF是MOSFET 150V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 20nC，包括单一配置，它们设计为在2.9 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了21 S中使用的最小正向跨导，其提供Id连续漏极电流特性，如27 a，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外，信道数为1信道，该器件在PQFN-8封装盒中提供，该器件具有一卷封装，Pd功耗为3.6W，Qg栅极电荷为21nC，Rds漏极源极电阻为58mOhm，上升时间为6.3ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为11ns，典型接通延迟时间为6.7ns，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs栅-源极阈值电压为5V。
IRFH5210TR2PBF是由IR制造的MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN。IRFH52110TR2PBF采用8-PowerVQFN封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH100V 10A 5X6 PQFN、N沟道100V 10A（Ta）、55A（Tc）3.6W（Ta）和104W（Tc）表面安装PQFN（5X6）。
