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IRF8327STR1PBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta)、60A(Tc) 最大功耗: 2.2W(Ta)、42W(Tc) 供应商设备包装: DIRECTFET平方 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

  • 库存: 9000
  • 单价: ¥34.49069
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥34.49
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 14 nC @ 4.5 V
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@25A.
  • 最大功耗 2.2W(Ta)、42W(Tc)
  • 部件状态 过时的
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 14A(Ta)、60A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 7.3毫欧姆 @ 14A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1430 pF@15 V
  • 包装/外壳 DirectFET等距SQ
  • 供应商设备包装 DIRECTFET平方

IRF8327STR1PBF 产品详情

特色

  • 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 根据JEDEC标准进行产品鉴定
  • 针对5V栅极驱动电压(称为逻辑电平)进行了优化
  • 双面冷却能力
  • 低包装高度0.7mm
  • 低寄生(1-2 nH)电感封装
  • 100%无铅(无RoHS豁免)
IRF8327STR1PBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRF8327STR1PBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRF8327STR1PBF价格参考¥34.490690,你可以下载 IRF8327STR1PBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRF8327STR1PBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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