BSP125L6433HTMA1

规格参数

• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
• 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
• 漏源电压标 (Vdss) 600 V
• 最大功耗 1.8W（Ta）
• 包装/外壳 至261-4，至261AA
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 150 pF @ 25 V
• 部件状态 过时的
• 漏源电流 (Id) @ 温度 120毫安（Ta）
• 导通电阻 Rds(ON) 45欧姆 @ 120毫安, 10V
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6.6 nC @ 10 V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@94A.
• 供应商设备包装 PG-SOT223-4-21