9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的2N6661JTXL02，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2N6661JTXL02参考价格$4.472。Vishay Siliconix 2N6661JTXL02封装/规格：MOSFET N-CH 90V 860MA TO39。您可以下载2N6661JTXL02英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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2N6661是MOSFET N-CH 90V 350MA 3TO-39，包括散装封装，它们设计用于通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于to-205AD、to-39-3金属罐，提供Si等技术特性，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及通孔安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，供应商设备包为TO-39，该设备为单配置，该设备具有MOSFET N沟道，FET型金属氧化物，最大功率为6.25W，晶体管类型为1 N沟道、漏极至源极电压Vdss为90V，输入电容Cis-Vds为50pF@24V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为350mA（Tj），Rds On Max Id Vgs为4 Ohm@1A，10V，Vgs th Max Id为2V@1mA，Pd功耗为6.25 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为90 V，漏极-源极电阻Rds为4欧姆，晶体管极性为N沟道，沟道模式为增强型。
2N6661JAN02，带有用户指南，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在90 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表注释中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，以及4欧姆Rds漏极源极电阻，该器件还可以用作725mW Pd功率耗散。此外，封装外壳为TO-39-3，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有安装类型的通孔，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+125 C，Id连续漏电流为860 mA，配置为单通道，通道模式为增强型。
2N6660JTXP02是MOSFET 19500/547 JATX2N6660P w/Pind，包括1个信道数量的信道，它们设计为使用Si技术操作。数据表中显示了用于N信道的晶体管极性，该N信道提供晶体管类型功能，如1个N信道。
2N6660JTXV02，带有EDA/CAD模型，包括Si技术，它们设计为与N沟道晶体管极性一起工作，晶体管类型如数据表注释所示，用于1 N沟道，提供信道数功能，如1信道。
