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AUIRFS3806TRL是MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 15.8mOhms，包括卷筒封装，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单频源配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供71 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为47 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为43 A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为15.8mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为49ns，典型接通延迟时间为6.3ns，Qg栅极电荷为22nC，正向跨导最小值为41S，沟道模式为增强。
AUIRFS3806TRR是MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 15.8mOhms，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于60 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为6.3 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件具有40ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为15.8mOhms，Qg栅极电荷为22nC，Pd功耗为71W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，沟道数为1沟道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为43 A，正向跨导最小值为41 S，下降时间为47 ns，配置为单奎因源，信道模式为增强型。
AUIRFS3806是MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 15.8mOhms，包括单一配置，它们设计为以43 a Id连续漏电流运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供1信道等信道数功能，封装外壳设计为在to-252-3中工作，以及管封装，该器件也可以用作71W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为22nC，器件的漏极-源极电阻为15.8mOhms Rds，器件具有Si of Technology，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.13932oz，Vds漏极-漏极击穿电压为60V。
