9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRFS4410Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRFS4410Z价格参考2.01美元。Infineon Technologies AUIRFS4410Z封装/规格：MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK。您可以下载AUIRFS4410Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如AUIRFS4410Z价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
AUIRFS4310Z是MOSFET N-CH 100V 127A D2PAK，包括管封装，它们设计为以0.13932盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单双漏极配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供250 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为57 ns，上升时间为60 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为127 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V至4V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为20ns，Qg栅极电荷为120nC，正向跨导最小值为150S，并且信道模式是增强。
AUIRFS4310TRR是MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 7欧姆，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如26 ns，典型的关闭延迟时间设计为68 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为110 ns，器件的漏极电阻为7 mOhms，Pd功耗为300 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为44 A，下降时间为78 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
AUIRFS4310ZTRL是MOSFET 100V 127A 6mOhm汽车MOSFET，包括127 A Id连续漏电流，其最大工作温度范围为+175 C，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该产品提供了多个信道功能，如1信道，封装盒设计用于to-252-3，以及卷筒封装，该器件也可以用作250W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为120 nC，器件提供4.8 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有Si of Technology，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.13932 oz，Vds漏极源极击穿电压为100 V。
