9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRFU1010Z，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRFU1010Z价格参考3.998美元。Infineon Technologies AUIRFU1010Z封装/规格：MOSFET N-CH 55V 91A TO262。您可以下载AUIRFU1010Z英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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AUIRFSL8408是MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.3mOhm 195A，包括管封装，它们设计为单位重量为0.084199盎司，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供CoolIRFet等商品名功能，封装外壳设计用于I2PAK-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有294 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为119 ns，上升时间为202 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为195 a，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.2V至3.9V，Rds漏极源极电阻为1.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为108ns，典型接通延迟时间为29ns，Qg栅极电荷为216nC，正向跨导Min为211S，信道模式是增强。
AUIRFSL8409是MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.2 mOhms 195A，包括2.2 V至3.9 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于40 V，提供单位重量功能，如0.084199 oz，典型开启延迟时间设计为32 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以CoolIRFet商品名提供，该器件具有Si of Technology，上升时间为105 ns，漏极-源极电阻Rds为1.2 mOhms，Qg栅极电荷为300 nC，Pd功耗为375 W，封装为Tube，封装外壳为I2PAK-3，信道数为1信道，安装类型为通孔，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为195 A，正向跨导最小值为150 S，下降时间为100 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
AUIRFU024N，带有由IR制造的电路图。AUIRFU24N以I-PAK封装形式提供，是IC芯片的一部分。
