9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的3N163-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。3N163-E3参考价格$1.856。Vishay Siliconix 3N163-E3封装/规格：MOSFET P-CH 40V 50MA TO72。您可以下载3N163-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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3N163是MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72，包括散装封装，它们设计为通孔安装型，封装盒如数据表注释所示，用于TO-72-4，提供Si等技术特性，通道数设计为在1通道中工作，以及单一配置，该器件也可以用作1 P通道晶体管类型。此外，Pd功耗为375 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，上升时间为13 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为-5 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-70 V，Rds漏极源极电阻为250欧姆，并且晶体管极性是P沟道，并且典型关断延迟时间是25ns，并且典型接通延迟时间是5ns，并且沟道模式是增强。
3N163-2带用户指南，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于5 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如25 ns，晶体管类型设计为在1个P沟道中工作，以及P沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，上升时间为13 ns，器件提供250欧姆Rds漏极-源极电阻，器件具有375 mW的Pd功耗，封装外壳为TO-206AF-4，通道数量为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为50mA，配置为单一，通道模式为增强。
3N108，电路图由SSI制造。3N108采用CAN封装，是IC芯片的一部分。
3N128是TI公司生产的CONN阴螺纹9-POS接触式插入件。3N128采用CAN3封装，是圆形连接器的一部分，并支持CONN阴形9-POS接触插入件。
