R5207ANDTL
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 525 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A (Ta) 最大功耗: 40W (Tc) 供应商设备包装: CPT3 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
- 库存: 9000
- 单价: ¥9.91553
-
数量:
- +
- 总计: ¥9.92
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 13 nC@10 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 1毫安
- 最大功耗 40W (Tc)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 500 pF @ 25 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 7A (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 1欧姆@3.5A，10V
- 供应商设备包装 CPT3
- 漏源电压标 (Vdss) 525 V
R5207ANDTL 产品详情
N沟道MOSFET晶体管
R5207ANDTL 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | R523W522050P0K | 基美 (AC) | 电容: 22F 公差: ±10% 直流电额定电压: 630V 包装/外壳: 径向的 工作温度: -40摄氏度~110摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥50.12087 |
 | R523N415050P0K | 基美 (AC) | 电容: 1.5F 公差: ±10% 直流电额定电压: 630V 包装/外壳: 径向的 工作温度: -40摄氏度~110摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥10.86435 |
 | R523R415050P0K | 基美 (AC) | 电容: 1.5F 公差: ±10% 直流电额定电压: 630V 包装/外壳: 径向的 工作温度: -40摄氏度~110摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥11.08164 |
 | R523W515050P0K | 基美 (AC) | 电容: 15F 公差: ±10% 直流电额定电压: 630V 包装/外壳: 径向的 工作温度: -40摄氏度~110摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥43.24011 |
 | R523I347050P0K | 基美 (AC) | 电容: 0.47F 公差: ±10% 直流电额定电压: 630V 包装/外壳: 径向的 工作温度: -40摄氏度~110摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥6.15647 |
 | R523R433050P0K | 基美 (AC) | 电容: 3.3F 公差: ±10% 直流电额定电压: 630V 包装/外壳: 径向的 工作温度: -40摄氏度~110摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥16.44138 |
 | R523I347050P3K | 基美 (AC) | 电容: 0.47F 公差: ±10% 直流电额定电压: 630V 包装/外壳: 径向的 工作温度: -40摄氏度~110摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥7.09804 |
 | R523W433050P0K | 基美 (AC) | 电容: 3.3F 公差: ±10% 直流电额定电压: 630V 包装/外壳: 径向的 工作温度: -40摄氏度~110摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥18.39697 |
 | R523I382050P0M | 基美 (AC) | 电容: 0.82F 公差: ±20% 直流电额定电压: 630V 包装/外壳: 径向的 工作温度: -40摄氏度~110摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥7.96719 |
 | R523I347050P1M | 基美 (AC) | 电容: 0.47F 公差: ±20% 直流电额定电压: 630V 包装/外壳: 径向的 工作温度: -40摄氏度~110摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥6.30132 |
R5207ANDTL所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，R5207ANDTL 由 罗姆 (Rohm) 设计生产，可通过久芯网进行购买。R5207ANDTL价格参考￥9.915530，你可以下载 R5207ANDTL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询R5207ANDTL规格参数、现货库存、封装信息等信息！
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
