9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的AUIRFZ46NL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AUIRFZ46NL价格参考9.922美元。Infineon Technologies AUIRFZ46NL封装/规格：MOSFET N-CH 55V 39A TO262。您可以下载AUIRFZ46NL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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AUIRFZ44ZSTRL是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 13.9mOhm，包括卷筒封装，它们设计为在0.139332盎司单位重量下工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供80 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为41 ns，上升时间为68 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为44 A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds漏极漏极-漏极电阻为13.9mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型接通延迟时间为14ns，沟道模式为增强。
AUIRFZ44ZSTRR是MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 13.9mOhms，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在55 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如14 ns，典型的关闭延迟时间设计为33 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为68 ns，器件的漏极-源极电阻为13.9 mOhms，Pd功耗为80 W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为44 A，下降时间为41 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
AUIRFZ44ZS是MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK，包括增强通道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了用于41纳秒的下降时间，提供Id连续漏极电流功能，如51 a，其最低工作温度范围为-55 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-252-3，器件采用管封装，器件具有80W的Pd功耗，Qg栅极电荷为29nC，Rds漏极-源极电阻为13.9mOhms，上升时间为68ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型的接通延迟时间为14ns，单位重量为0.13932oz，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极电压为20V。
