9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的R6012ANJTL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。R6012ANJTL参考价格$12.016。Rohm Semiconductor R6012ANJTL封装/规格：MOSFET N-CH 600V 12A LPTS。您可以下载R6012ANJTL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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R6012425XXYA是DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205，包括散装包装，它们设计为与DO-205AB、DO-9、螺柱包装箱一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于底盘、螺柱安装，提供供应商设备包功能，如DO-205AA、DO-9，速度设计为在标准恢复>500ns、>200mA（Io）、，与标准二极管类型一样，该器件也可以用作50mA@2400V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.5V@800A，该器件提供2400V（2.4kV）直流反向电压Vr Max，该器件具有250A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为11μs，其工作温度结范围为-65°C~175°C。
R6012625XXYA是DIODE GEN PURP 2.6KV 250A DO205，包括1.5V@800A正向电压Vf Max。如果设计为在2600V（2.6KV）直流反向电压Vr Max下运行，数据表说明中显示了用于DO-205AB、DO-9的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为11μs，除了散装包装外，该设备还可以用作DO-205AB、DO-9、螺柱包装箱，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，该设备提供底盘螺柱安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为50mA@2600V，电流平均整流Io为250A。
R6012630YA，带有POWEREX制造的电路图。R6012630YA在模块包中提供，是模块的一部分。
